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[{"ID":42423,"Name":"工学"},{"ID":80436,"Name":"电子科学与技术"},{"ID":99037,"Name":"集成电路"},{"ID":99050,"Name":"集成电路工艺"},{"ID":99062,"Name":"CMOS工艺"}]
互补金属氧化物半导体工艺
/complementary metal oxide semiconductor process/
最后更新 2023-08-19
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集成电路制造中，将N沟道金属-氧化物-半导体（negative channel metal-oxide-semiconductor，NMOS）器件和P沟道金属-氧化物-半导体（positive channel metal-oxide-semiconductor，PMOS）器件同时制作在同一硅衬底上的工艺技术。
- 英文名称
- complementary metal oxide semiconductor process
- 所属学科
- 电子科学与技术
京公网安备 11010202008139号
