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互补金属氧化物半导体工艺
/complementary metal oxide semiconductor process/
最后更新 2023-08-19
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集成电路制造中，将N沟道金属-氧化物-半导体（negative channel metal-oxide-semiconductor，NMOS）器件和P沟道金属-氧化物-半导体（positive channel metal-oxide-semiconductor，PMOS）器件同时制作在同一硅衬底上的工艺技术。
- 英文名称
- complementary metal oxide semiconductor process
- 所属学科
- 电子科学与技术
京公网安备 11010202008139号
