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整数量子霍尔效应

/integer quantum Hall effect/

最后更新 2022-12-23

浏览 377次

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具有高迁移率载流子的二维电子体系，在低温、强磁场等条件下，其霍尔电阻（横向电阻）出现一系列不随磁场变化的整数量子化平台的效应。

英文名称: integer quantum Hall effect

所属学科: 物理学

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