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低熔点的金属，如Ga、In等为溶剂，待生长材料，如Ga、As、P（包括掺杂剂如Zn、Te、Cd等）为溶质，在溶剂中，溶质呈现饱和或过饱和状态，通过降低温度，使得溶质从溶剂中析出，在基片上外延生长的技术。利用这种技术，可以生长Si、GaAs、GaAlAs、GaP等半导体材料以及其他材料，通过适当的工艺，控制条件，制备层状器件结构，如异质结构LED。
京公网安备 11010202008139号
