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[{"ID":42423,"Name":"工学"},{"ID":80436,"Name":"电子科学与技术"},{"ID":80598,"Name":"新型半导体器件"},{"ID":80627,"Name":"绝缘栅双极晶体管"}]
非穿通型绝缘栅双极晶体管
/non punch through insulated gate bipolar transistor; NPT-IGBT/
最后更新 2022-12-23
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N-漂移区与P+集电区之间不包含N+缓冲层，当器件承受额定的击穿电压时，耗尽区内电场呈现出三角分布的绝缘栅双极晶体管。又称非穿透型绝缘栅双极晶体管。
- 英文名称
- non punch through insulated gate bipolar transistor; NPT-IGBT
- 所属学科
- 电子科学与技术
京公网安备 11010202008139号
