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高电子迁移率晶体管

/high electron mobility transistor; HEMT/

最后更新 2022-12-23

浏览 214次

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利用两种不同禁带宽度的材料形成的异质结代替掺杂区域作为沟道，其中的二维电子气具有高迁移率特性的场效应晶体管。

英文名称: high electron mobility transistor; HEMT

所属学科: 物理学

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