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高迁移率沟道
/high mobility channel/
最后更新 2023-08-02
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在金属-氧化物-半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor; MOSFET）器件中，具有载流子迁移率比硅高的半导体材料沟道。
- 英文名称
- high mobility channel
- 所属学科
- 电子科学与技术
京公网安备 11010202008139号
