首页
[{"ID":42422,"Name":"理学"},{"ID":81272,"Name":"计算机科学技术"},{"ID":81427,"Name":"计算机硬件"},{"ID":81431,"Name":"计算机存储部件"}]
自旋转移力矩磁阻随机存取存储器
/spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory; STT-MRAM/
最后更新 2022-05-13
浏览 28次
自旋力矩技术是利用“拥有自旋角动量的属性的电子或其他粒子”的一种技术。其中自旋角动量是两种量子力学角动量之一。自旋力矩存储技术利用穿过磁场的电流来改变电子自旋向上或向下。自旋转移力矩磁阻随机存取存储器有潜力成为比闪存（flash memory）更高密度、更少成本、更低功耗的非易失性存储器。它也不是一种像闪存这样的破坏性技术，没有闪存的抗磨损寿命问题。
- 英文名称
- spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory; STT-MRAM
- 所属学科
- 计算机科学技术
京公网安备 11010202008139号
