首页
[{"ID":42422,"Name":"理学"},{"ID":81272,"Name":"计算机科学技术"},{"ID":81427,"Name":"计算机硬件"},{"ID":81431,"Name":"计算机存储部件"}]
相变存储器
/phase-change memory，PCM/
最后更新 2022-12-23
浏览 46次
一种由硫族化合物材料构成的新型非易失存储器（non-volatile memory，NVM），它利用材料可逆转的物理状态变化来存储信息，具有非易失、工艺尺寸小、存储密度高、寿命长、读写速度快、功耗低、抗辐射干扰等优点，是未来最有可能取代DRAM的非易失性存储器之一。
- 英文名称
- phase-change memory，PCM
- 所属学科
- 计算机科学技术
京公网安备 11010202008139号
