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[{"ID":42423,"Name":"工学"},{"ID":80436,"Name":"电子科学与技术"},{"ID":80598,"Name":"新型半导体器件"},{"ID":80604,"Name":"介质隔离MOS器件"}]
绝缘层上锗
/germanium on insulator/
最后更新 2022-12-23
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由顶层锗（Ge）、二氧化硅（SiO2）绝缘层、硅衬底组成的三明治结构的半导体材料。是一种用于制备高性能器件的半导体衬底材料。
- 英文名称
- germanium on insulator
- 所属学科
- 电子科学与技术
京公网安备 11010202008139号
